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Vishay General Semiconductor - Diodes Division BYT51B-TAP
| Artikelnummer: | BYT51B-TAP |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Vishay General Semiconductor – Diodes Division |
| Teil der Beschreibung.: | DIODE AVALANCHE 100V 1.5A SOD57 |
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| RoHs Status: | ROHS3 -konform |
| ECAD -Modell: | |
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Vishay General Semiconductor - Diodes Division BYT51B-TAP Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments BYT51B-TAP.Produkteigenschaften Eigenschaften Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If 1.1 V @ 1 A Spannung - Sperr (Vr) (max) 100 V Technologie Avalanche Supplier Device-Gehäuse SOD-57 Geschwindigkeit Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Serie - Rückwärts-Erholzeit (Trr) 4 µs Verpackung / Gehäuse SOD-57, Axial Produkteigenschaften Eigenschaften Paket Tape & Box (TB) Betriebstemperatur - Anschluss -55°C ~ 175°C Befestigungsart Through Hole Strom - Sperrleckstrom @ Vr 1 µA @ 100 V Strom - Richt (Io) 1.5A Kapazität @ Vr, F - Grundproduktnummer BYT51 BYT51B-TAP Einzelheiten PDF [English] BYT51B-TAP PDF - EN.pdf -
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